فایل مورد نظر ترجمه مقاله با عنوان کامل

Hetero-gate-dielectric double gate junctionless transistor (HGJLT) with reduced band-to-band tunnelling effects in subthreshold regime

بوده، فایل ترجمه در قالب pdf است و نمونه ای از آن به صورت زیر است:

چکیده:

ما ترانزیستور بدون پیوند گیت-دوبل دی الکتریک-گیت-گوناگون (HGJLT) را با اتخاذ یک عایق گیت با k بالا در سمت سورس و عایق گیت با k پایین در سمت درین پشنهاد نموده ایم که باعث کاهش اثرات تونل زنی باند به باند در منطقه زیر آستانه می شود. ...........